Transistor IGBT -Siv006E065F52
Siv006E065F52 è un transistor IGBT trench gate con un diodo veloce che fornisce una perdita di commutazione estremamente bassa ed un'elevata efficienza energetica, adatto per applicazioni di commutazione come azionamenti di motori ed elettrodomestici.
Descrizione
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Descrizione del prodotto
Siv006E065F52 è un transistor IGBT trench gate con un diodo veloce che fornisce una perdita di commutazione estremamente bassa ed un'elevata efficienza energetica, adatto per applicazioni di commutazione come azionamenti di motori ed elettrodomestici.
| VCES | IC | VCE(SAT) | VF | Imballaggio |
| 650 V | 6A | 1,73 V | 1,9 V | TO-252 |
Caratteristiche
*Tecnologia avanzata di arresto del campo in trincea
* VCE (sat) a bassissima tensione e perdite di commutazione
*Elevata durata e stabilità alla temperatura
* Facile collegamento in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo VCE(sat)
Applicazioni
* Azionamenti a motore
* Applicazione negli elettrodomestici
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