Moduli IGBT - SivF3L150A65E2H1D
Il modulo Easy2B utilizza un transistor IGBT con conduttore di campo trench gate ad alta velocità e un diodo a recupero ultrarapido.
Descrizione
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Descrizione del prodotto
Il modulo Easy2B utilizza un transistor IGBT con conduttore di campo trench gate ad alta velocità e un diodo a recupero ultrarapido.
Dati preliminari
| Resistere alla tensione | Corrente a 100 ℃ | Caduta di tensione di saturazione a 25 ℃ | Caduta di tensione diretta a 25 ℃ | Tipologia abitativa |
| 650 V | 150A | 1,22 V | 2,63 V | Facile2B |
Caratteristiche elettriche
⚫ Basse perdite di commutazione
⚫ Bassa caduta di tensione di saturazione
⚫ Range esteso di temperature operative di giunzione (Tvjop)
Applicazioni tipiche
⚫ Gestione della qualità dell'energia
⚫ Stoccaggio energetico commerciale e industriale
⚫ Applicazioni fotovoltaiche
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