Memoria incorporata UFS
BIWIN UFS è la prossima generazione di chip di memoria flash per sistemi embedded. Rispetto all'ultimo standard eMMC 5.1, la velocità UFS è tre volte più veloce. Inoltre, i canali di controllo aggiuntivi di UFS 2.1 garantiscono in modo efficace il trasferimento sicuro dei dati ed eliminano la necessità di latenza durante le operazioni di lettura e scrittura, che è un fattore chiave per raggiungere le velocità più elevate di UFS 2.1.
Memoria incorporata uMCP
BIWIN introduce il chip di memoria integrato uMCP5, che combina UFS 3.1 e LPDDR5X, per smartphone e altri terminali intelligenti. La velocità di lettura sequenziale UFS 3.1 raggiunge 2100 MB/s, la velocità di scrittura sequenziale – 1800 MB/s; La frequenza LPDDR5X raggiunge i 6400 Mbps; capacità di memoria: fino a 256 GB + 8 GB; La dimensione del chip è di soli 11,5 × 13,0 × 1,0 mm.
Memoria ePOP incorporata
BIWIN ePOP combina la memoria mobile MMC e LPDDR con varie opzioni di capacità in un unico pacchetto. Questi prodotti sono ampiamente utilizzati nei dispositivi mobili.
Memoria eMMC incorporata
BIWIN eMMC, grazie al suo design conciso e avanzato, è entrato nel mercato in breve tempo. Utilizza un controller ad alte prestazioni e un affidabile flash NAND, che non solo migliora l'efficienza del trasferimento dei dati, ma esegue anche più operazioni multitasking ad alta velocità, garantendo un'esperienza fluida durante la navigazione sul Web, il download di applicazioni, la riproduzione di video ad alta definizione e l'esecuzione di giochi impegnativi.
Memoria incorporata eMCP
Con l'aumento della quantità di codice del sistema operativo utilizzato negli smartphone, e soprattutto a causa della diffusa adozione del sistema operativo Android, gli smartphone hanno requisiti di memoria sempre più elevati.
Memoria LPDDR5
LPDDR5 supporta la modalità multibanca, la velocità di trasferimento dati è aumentata da 4266 Mbps a 6400 Mbps. La regolazione dinamica di più gruppi di tensione riduce il consumo energetico del 30%.
Memoria LPDDR4
LPDDR (Low Power Double Data Rate SDRAM) è un tipo di memoria DDR che presenta un basso consumo energetico. Le soluzioni BIWIN Low Power DDR coprono un'ampia gamma di RAM, da quelle ad alte prestazioni ai modelli con un rapporto qualità-prezzo ottimale.
BIWIN
BIWIN Storage Technology Co., Ltd. (di seguito BIWIN) è stata fondata nel 2010. L'azienda è specializzata nella ricerca e sviluppo, confezionamento e test, produzione e vendita di dispositivi di memoria a semiconduttore. I prodotti principali sono dispositivi di memoria a semiconduttore, i servizi principali sono servizi avanzati di confezionamento e test. I dispositivi di memoria a semiconduttore sono classificati in base all'applicazione in memoria incorporata, memoria per PC, memoria industriale e automobilistica, memoria aziendale e memoria mobile. Con la sua missione "La memoria rende tutto intelligente", l'azienda si impegna a diventare il fornitore leader a livello mondiale di soluzioni di memoria e storage, nonché di servizi avanzati di packaging e test. BIWIN è una società quotata sul mercato STAR, inclusa nell'indice STAR 50, e ha ricevuto investimenti strategici dal secondo round del Fondo statale cinese per lo sviluppo dei circuiti integrati, dal China Internet Investment Fund, dal Chinese Academy of Sciences Venture Fund, ecc. Concentrandosi attentamente sull'intera catena industriale dei dispositivi di memoria a semiconduttore, la società ha stabilito un modello di business di soluzioni e produzione integrate e ha ampliato la propria presenza in collegamenti chiave della catena come sviluppo di soluzioni di archiviazione, progettazione di controller di memoria, confezionamento e test di memoria, packaging avanzato e test a livello di wafer e produzione di apparecchiature per test di memoria. I prodotti chip di memoria dell'azienda sono ampiamente utilizzati nei terminali mobili intelligenti, nei PC, nei terminali industriali, nei data center, nei veicoli intelligenti, nell'archiviazione mobile dei dati e in altri campi della tecnologia dell'informazione.
