Memoria incorporata uMCP
BIWIN introduce il chip di memoria integrato uMCP5, che combina UFS 3.1 e LPDDR5X, per smartphone e altri terminali intelligenti. La velocità di lettura sequenziale UFS 3.1 raggiunge 2100 MB/s, la velocità di scrittura sequenziale – 1800 MB/s; La frequenza LPDDR5X raggiunge i 6400 Mbps; capacità di memoria: fino a 256 GB + 8 GB; La dimensione del chip è di soli 11,5 × 13,0 × 1,0 mm.
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Descrizione del prodotto
BIWIN introduce il chip di memoria integrato uMCP5, che combina UFS 3.1 e LPDDR5X, per smartphone e altri terminali intelligenti. La velocità di lettura sequenziale UFS 3.1 raggiunge 2100 MB/s, la velocità di scrittura sequenziale – 1800 MB/s; La frequenza LPDDR5X raggiunge i 6400 Mbps; capacità di memoria: fino a 256 GB + 8 GB; La dimensione del chip è di soli 11,5 × 13,0 × 1,0 mm. Rispetto a una soluzione che utilizza UFS 3.1 e LPDDR5 separati, l'uMCP basato su LPDDR5 di BIWIN può risparmiare fino al 55% dell'area PCB, consentendo una progettazione più flessibile di sistemi basati su smartphone.
Specifiche
1.Interfaccia: UFS 3.1, LPDDR5
2. Dimensioni: 11,5 × 13,0 × 1,2 mm (massimo)
3.Velocità massima di lettura sequenziale: 2100 MB/s
4.Velocità massima di scrittura sequenziale: 1800 MB/s
5.Volume: fino a 8 GB + 256 GB
6. Intervallo di temperatura operativa: da –25 °C a +85 °C
7. Alloggiamento: 297 perni a sfera
8. Aree di applicazione: smartphone, apparecchiature di rete, tablet
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