Transistor MOSFET - SivF160N100T
Tutti i prodotti sono testati UIS al 100% e conformi alla direttiva RoHS.
Prodotto utilizzando la tecnologia dei transistor di potenza con struttura a trincea.
Descrizione
marcatore
Descrizione del prodotto
SivF160N120T è un MOSFET di potenza a canale N con modalità di arricchimento.
Caratteristiche principali
- Tensione nominale: 100 V
- Corrente nominale: 160 A
- RDS massimo di resistenza attiva (attivato): 3,8 mOhm
- Corrente di assorbimento: fino a 30 A con VGS=10 V
- Resistenza e carica di gate estremamente basse (tip. Qg=93 nC)
- Tutti i prodotti sono testati UIS al 100% e conformi alla direttiva RoHS
- Prodotto utilizzando la tecnologia dei transistor di potenza con struttura a trincea.
Applicazioni
Commutazione del carico
Modulazione PWM (PWM)
Gestione dell'energia
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